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DMNH4005SPSQ-13  与  BSZ040N04LS G  区别

型号 DMNH4005SPSQ-13 BSZ040N04LS G
唯样编号 A-DMNH4005SPSQ-13 A-BSZ040N04LS G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 80A PWRDI5060-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ
上升时间 - 4.8ns
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 - 64nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2847 pF @ 20 V -
栅极电压Vgs 20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 40S
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 48 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 -
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 80A(Tc) 40A
配置 - Single
长度 - 3.3mm
下降时间 - 5.4ns
高度 - 1.10mm
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.8W 69W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4mΩ@20A,10V -
典型关闭延迟时间 - 33ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
驱动电压 10V -
典型接通延迟时间 - 8.5ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH4005SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.8W 20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 40V 80A(Tc) 车规

暂无价格 0 当前型号
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